吸收电路用于保护IGBT的开通和关断，在各种电路中都需要吸收电路，了解吸收电路的工作原理对正确选用吸收电路是非常重要的。这里讨论去偶电容、RCD箝位电路、RCD充放电吸收电在IGBT吸收电路中，主要使用了电感和电容。这种电路的主要原理是在IGBT开关时，电磁场和电荷都会储存在电感和电容中。当IGBT关闭时，这些储存的能量会被释放并产

(=｀′=) 关断IGBT时由于电感中储存有能量，集电极-发射极间会发生浪涌电压。缓冲电路可以抑制施加在IGBT上的过电压和关断损耗的增加。这是由于缓冲电容器可以分担关断时的一部分能量。务必妥其通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通；反之，加反向门极电压消除沟道，切

它首先是将半导体器件MOSFET,IGBT或MCT与二极管的芯片封装在一起组成一个积木单元，然后将这些积木单元迭装到开孔的高电导率的绝缘陶瓷衬底上，在它的下面依次是铜基板、氧化铍瓷片和原理有开关过程中的漏电流、晶体管开关过程中的反向恢复时间等。1、开关过程中的漏电流：在IGBT模块工作时，如果开关速度足够快，会产生大量瞬态漏电流，并在导通

电容C2为门极吸收电容，它用来减小IGBT的开关硬度和吸收门极的一些高频噪声。稳压管Z1,Z2是反串联方式连接，稳压管的电压等级选取依据是：门极驱动电压<稳压管额定电压